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半导体-晶元表面粗糙度测量

技术挑战

为了制备合乎器件和集成电路制作要求的硅片表面,必须进行抛光,以去除残留的损伤层并获得一定厚度的高平整度的镜面硅片。抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光,较普遍采用的是化学机械抛光。抛光处理后的晶元表面其粗糙度测量一般采用五点式,即在晶元的上下左右和中部各取一点测量评价粗糙度。


解决方案

使用非接触式轮廓仪测量晶元表面粗糙度的流程一般为:设定测量位置、对焦样品表面、设置扫描参数、扫描及最后使用软件分析。由于晶元样品对表面粗糙度要求极高一般使用干涉物镜进行测量,评估参数一般为Ra或者Sa。


结果

sensofar专有技术开发的Neox光学轮廓仪,集成了共聚焦计数和干涉测量技术,实现软件内一键切换两种测量技术,搭配SensoPRO自动分析软件可实现结果自动分析。

测量位置图


渲染图


3D图

 实物测量图


电   话: 010-62553066
010-62565779(总机)

传   真: 010-62566652

测量部:400-172-5117

测定部:400-820-5501