半导体-晶元表面粗糙度测量
技术挑战
为了制备合乎器件和集成电路制作要求的硅片表面，必须进行抛光，以去除残留的损伤层并获得一定厚度的高平整度的镜面硅片。抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光，较普遍采用的是化学机械抛光。抛光处理后的晶元表面其粗糙度测量一般采用五点式，即在晶元的上下左右和中部各取一点测量评价粗糙度。
解决方案
使用非接触式轮廓仪测量晶元表面粗糙度的流程一般为：设定测量位置、对焦样品表面、设置扫描参数、扫描及最后使用软件分析。由于晶元样品对表面粗糙度要求极高一般使用干涉物镜进行测量，评估参数一般为Ra或者Sa。
结果
sensofar专有技术开发的Neox光学轮廓仪，集成了共聚焦计数和干涉测量技术，实现软件内一键切换两种测量技术，搭配SensoPRO自动分析软件可实现结果自动分析。
测量位置图
渲染图
3D图
实物测量图
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